TBMDA-CDN25 modulowany szerokopasmowy wzmacniacz mocy

Karta katalogowa

Przegląd produktu

Wzmacniacz modulowany TBMDA-CDN25 zapewnia niezbędną moc, szerokość pasma i modulację do badań odporności przewodzonej przy użyciu sond CDN i BCI w zakresie częstotliwości od 100 kHz do 250 MHz. Jest on przeznaczony do wysterowania przez generatory sygnałowe lub przez generatory śledzące analizatorów widma. Z punktem kompresji 1 dB do 25 W w zakresie częstotliwości od 100 kHz do 250 MHz może generować poziomy testowe klasy 1, klasy 2, klasy 3 i klasy X zgodnie z ISO / EN 61000-4-6. Wbudowany modulator AM / PM - umożliwia wykorzystanie generatorów śledzących jako źródła sygnału. TBMDA-CDN25 mA wystarczające wzmocnienie, aby osiągnąć maksymalną moc wyjściową przy 0 dBm dostarczanym przez generator śledzący analizatora widma.
Oprócz 1 kHz, 80% AM, TBMDA-CDN25 zapewnia wbudowaną zdolność modulacji do generowania sygnałów PM o częstotliwości 1 kHz, 50% cyklu duty. W trybie PM, TBMDA-CDN25 może również generować sygnał 217 Hz z 12,5% cyklem duty w celu symulacji szumu TDMA telefonu komórkowego.

Kluczowe cechy

• Wzmacniacz CW (modulacja wyłączona)
• 1 kHz, 80% modulacji AM
• 1 kHz, 50% cykl duty modulacji impulsowej
• 217 Hz, 12,5% cykl duty modulacji impulsowej

Specyfikacja

• Wejście / wyjście: 50 Ohm, N żeńskie
• Zakres napięcia zasilania: 110 V - 240 V
• Pobór mocy zasilania: 108 W @ 220 V
• Zakres temperatur pracy: -20°C do 50°C
• Zakres częstotliwości: 100 kHz - 250 MHz
• Wzmocnienie niskosygnałowe: 47 dB typ.
• Płaskość wzmocnienia 100 kHz - 250 MHz / Pin = -3 dBm: 3,5 dB typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 100 kHz / Pin = 0 dBm: 44,1 dBm (25,7 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 44,6 dBm (28,8 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 45,1 dBm (32,4 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 45,3 dBm (33,9 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 45,3 dBm (33,9 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 50 MHz / Pin = 0 dBm: 45,6 dBm (36,3 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 80 MHz / Pin = 0 dBm: 46,6 dBm (45,7 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 46,5 dBm (44,7 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 150 MHz / Pin = 0 dBm: 44,5 dBm (28,2 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 200 MHz / Pin = 0 dBm: 43,8 dBm (24 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 230 MHz / Pin = 0 dBm: 44,9 dBm (30,9 W) typ.
• Nasycona moc wyjściowa @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 44,8 dBm (30,2 W) typ.
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 100 kHz: +43,7 dBm typowo (Pin: -5 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 150 kHz: +44,1 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 500 kHz: +44,6 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 1 MHz: +45 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 10 MHz: +45 dBm typ. (Pin: -2 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 50 MHz: +45,6 dBm typ. (Pin: 1 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 80 MHz: +46,5 dBm typ. (Pin: 1 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 100 MHz: +46,5 dBm typ. (Pin: 0 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 150 MHz: +42,9 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 200 MHz: +42,2 dBm typ. (Pin: -4 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 230 MHz: +44,1 dBm typ. (Pin: -3 dBm)
• Punkt kompresji wyjścia 1 dB @ 250 MHz: +43 dBm typowo (Pin: -4 dBm)
• 2. harmoniczna, 100 MHz, Pout=46 dBm: < - 12 dBc typ.
• 2. harmoniczna, 100 MHz, Pout=40 dBm: < - 15 dBc typ.
• 3. harmoniczna, 100 MHz, Pout=46 dBm: < - 22 dBc typ.
• 3. harmoniczna, 100 MHz, Pout=40 dBm: < - 22 dBc typ.

Całkowite zniekształcenie harmoniczne

• 17,7% @100 MHz, P out=37 dBm typ.
• 19,6% @100 MHz, P out=40 dBm typ.
• 22,1% @100 MHz, P out=43 dBm typ.
• 26,9% @100 MHz, P out=46 dBm typ.
• Punkt przechwycenia wyjścia trzeciego rzędu: +51 dBm, @100 MHz, ∆ f = 2 MHz, typ.
• Wewnętrzna częstotliwość modulacji AM: 1 kHz ±20%
• Częstotliwości modulacji wewnętrznej PM: 1 kHz ±20%, 217 Hz ±20%
• Cykl pracy, PM: 50% ±10% @ 1 kHz; 12,5% ±20% @ 217 Hz

Maksymalne wartości znamionowe

Maksymalna moc wejściowa: +3 dBm

Wyjście TBMDA-CDN25 jest dość tolerancyjne na niedopasowanie wyjściowe, jednak nie zaleca się stosowania otwartego lub zwartego obciążenia, gdyż może to spowodować uszkodzenie tranzystora wyjściowego. W przypadku zasilania sondami bliskiego pola, sondami prądowymi lub jakimikolwiek innymi obciążeniami o nieznanej impedancji, zaleca się wprowadzenie na wyjście wzmacniacza tłumika ≥ 3 dB w celu ochrony stopnia wyjściowego.

Zastosowanie

• Ogólne przeznaczenie szerokopasmowego wzmacniacza mocy RF
• Szerokopasmowy wzmacniacz mocy RF do badań odporności na promieniowanie przewodzone, napędzający CDN lub sondy BCI
• Szerokopasmowy wzmacniacz mocy RF do badań odporności na promieniowanie, do zasilania sond pola bliskiego
• Szerokopasmowy wzmacniacz mocy RF do badań odporności na promieniowanie, do zasilania komór TEM